UPD48288236FF-EF26-DW1-A

μPD48288209 是一款容量为 33,554,432 字×9 位的器件，μPD48288218 是 16,777,216 字×18 位的器件，μPD48288236 是 8,388,608 字×36 位的同步双倍数据速率低延迟 RAM，采用先进的 CMOS 技术和单晶体管存储单元制造。 μPD48288209、μPD48288218 和 μPD48288236 集成了独特的同步外围电路和突发计数器。所有由输入时钟对（CK 和 CK#）控制的输入寄存器在 CK 和 CK#的上升沿锁存。 这些产品适用于需要同步操作、高速、低电压、高密度和宽位配置的应用。

• 密度：288M 位
• 封装尺寸：18.5×11，有引脚和无引脚封装
• 电源：2.5 V VEXT、1.8 V VDD、1.5 或 1.8 V VDDQ
• 刷新命令：每个存储体自动刷新 8192 周期/32 ms，总计 64K 周期/32 ms
• 工作壳温：Tc = 0 至 95℃
• SRAM 型接口
• 双倍数据速率架构
• PLL 电路
• 周期时间：tRC = 20 ns 时为 2.5 ns、tRC = 20 ns 时为 3.3 ns、tRC = 20 ns 时为 5.0 ns
• 非复用地址
• 提供复用选项
• 写命令的数据掩码
• 差分输入时钟（CK 和 CK#）
• 差分输入数据时钟（DK 和 DK#）
• 数据有效信号（QVLD）
• 可编程突发长度：2 / 4 / 8（x9 / x18）、2 / 4（x36）
• 用户可编程阻抗输出（25 Ω - 60 Ω）
• JTAG 边界扫描