CWDM305N TR13 PBFREE
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CWDM305N TR13 PBFREE
- 商品编号
- C6892416
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CWDM305N是一款高电流N沟道增强型硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这款节能型MOSFET具有低漏源导通电阻（rDS(ON)）、低栅极电荷和低阈值电压的优势。
商品特性
- 低RDS(ON)
- 高电流
- 低栅极电荷
应用领域
-负载/电源开关-DC-DC转换电路-电源管理
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