商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 1pA | |
| 传播延迟(tpd) | 200ns | |
| 滞后电压(Vhys) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输出类型 | - | |
| 输出模式 | CMOS；TTL | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
这些器件包含两个独立的精密电压比较器，设计用于单电源或双电源工作。这些差分比较器采用STMicroelectronics硅LIN MOS工艺制造，具有出色的功耗-速度比。这些器件非常适合低功耗应用。
应用领域
- 电池供电的电子设备
- 通用型便携式装置
- 通用型低电压应用
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