商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 负载开关 | |
| 通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 工作电压 | 3V~20V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
ISL6146 代表了一系列或门 MOSFET 控制器,能够对 1V 至 18V 的电压进行或运算。与适当规格的 N 沟道功率 MOSFET 配合使用时,在大电流应用中,ISL6146 替代功率或门二极管可提高功率分配效率。它通过一个完全集成的电荷泵为 MOSFET 提供栅极驱动电压。 ISL6146 允许用户通过外部电阻调整 V₀UT - VIN 跳变点,从而调整对系统电源噪声的控制灵敏度。如果出现条件故障或 FET 故障,漏极开路的 FAULT 引脚将发出指示。 ISL6146A 和 ISL6146B 针对极低电压操作进行了优化,可低至 1V,且需额外 3V 或更高的独立偏置电压。 ISL6146C 提供一种电压兼容的工作模式,最低可至 3V,并具有可编程的欠压锁定和过压保护阈值。 ISL6146D 和 ISL6146E 分别与 ISL6146A 和 ISL6146B 类似,但不通过故障输出进行导通状态报告。
商品特性
- 使用 ISL6146A、ISL6146B、ISL6146D 和 ISL6146E 可实现低至 1V 高达 20V 的或运算
- 使用 ISL6146C 可实现可编程电压兼容操作
- ∀IN 热插拔瞬态保护额定值可达 +24V
- 高速比较器在电源短路时可实现快速(<0.3μs)关断
- 以 6A 关断电流实现最快的反向电流故障隔离
- 开关过渡非常平滑
- 内部电荷泵驱动 N 沟道 MOSFET
- 用户可对 VIN - V₀UT Vth 进行编程以抗干扰
- 带延迟的漏极开路 FAULT 输出 - 或门 FET 任意两个端子之间短路 - 栅极电压及过大的 FET vDS - 电源正常指示(ISL6146C)
- 提供 MSOP 和 DFN 封装选项
应用领域
- N+1 工业和电信电源分配系统
- 不间断电源
- 低电压处理器和存储器
- 存储和数据通信系统
优惠活动
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
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