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IMBG120R350M1HXTMA1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:4.7A
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- 描述
- 特性：极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。应用：驱动器。 基础设施-充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R350M1HXTMA1
- 商品编号
- C6879142
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ |
商品概述
IMBG120R350M1H 是一款采用 .XT 互连技术的 CoolSiC™ 1200V 碳化硅沟槽 MOSFET，具备极低的开关损耗、3μs 的短路耐受时间、完全可控的 dV/dt、4.5V 的基准栅极阈值电压、抗寄生导通能力强（可施加 0V 关断栅极电压）、适用于硬换流的稳健体二极管、卓越的 .XT 互连技术热性能、封装爬电和电气间隙距离大于 6.1mm，以及用于优化开关性能的检测引脚。
商品特性
- 极低的开关损耗
- 短路耐受时间为 3μs
- 完全可控的 dV/dt
- 基准栅极阈值电压 V_GS(th) = 4.5V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0V 关断栅极电压
- 适用于硬换流的稳健体二极管
- 采用 .XT 互连技术，实现一流的散热性能
- 封装爬电和电气间隙距离 >6.1mm
- 配备检测引脚，以优化开关性能
应用领域
- 驱动
- 基础设施
- 能源发电
- 工业电源