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IMBG120R350M1HXTMA1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:4.7A
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- 品牌名称Infineon(英飞凌)
商品型号
IMBG120R350M1HXTMA1商品编号
C6879142商品封装
TO-263-7包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 468mΩ@2A,18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5.7V@1mA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.9nC@18V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 196pF@800V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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