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IMBG120R350M1HXTMA1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:4.7A
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- 描述
- 特性：极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。应用：驱动器。 基础设施-充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R350M1HXTMA1
- 商品编号
- C6879142
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ |
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