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GD25Q40CEJGR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GD25Q40CEJGR

双路和四路串行闪存,具备快速编程/擦除速度、灵活架构、高速时钟频率、低功耗、软件/硬件写保护和高级安全特性

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商品型号
GD25Q40CEJGR
商品编号
C6866726
商品封装
USON-8(2x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.746克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量4Mbit
属性参数值
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+105℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品概述

GD25Q40C(4M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双线/四线SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度高达240Mbits/s,四I/O和四输出数据传输速度高达480Mbits/s。

商品特性

  • 4M位串行闪存
  • 512K字节容量
  • 每个可编程页256字节
  • 支持标准、双线、四线SPI接口
  • 高速时钟频率,快速读取达120MHz
  • 软件和硬件写保护功能
  • 最小100,000次编程/擦除周期
  • 典型20年数据保留时间
  • 快速编程和擦除速度
  • 灵活的统一扇区和块架构
  • 低功耗,典型深度掉电电流1μA
  • 高级安全特性,包括128位ID
  • 单电源电压,范围2.7V至3.6V

数据手册PDF