GA10SICP12-263
GA10SICP12-263
- 商品型号
- GA10SICP12-263
- 商品编号
- C6866572
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
商品特性
- 最高工作温度175°C
- 无栅氧碳化硅开关
- 可选栅极回路引脚
- 出色的安全工作区
- 集成碳化硅肖特基整流器
- 优异的增益线性度
- 与温度无关的开关性能
- 低输出电容
- 导通电阻具有正温度系数
- 适合连接反并联二极管
- 兼容硅MOSFET/IGBT栅极驱动IC
- 大于20µs的短路耐受能力
- 同类最低的导通损耗
- 高电路效率
- 最小的输入信号失真
- 高放大器带宽
应用领域
- 井下石油钻井
- 地热仪器
- 混合动力电动汽车
- 太阳能逆变器
- 开关电源
- GCC12DREN-S734
- GCC19DREN-S13
- GCC22DRTH-S93
- GCC26DRYS-S734
- GCC31DCAD
- GA1206A101FBABR31G
- GCC36DRES-S13
- GA1206A101JBEBR31G
- GCC61DCST
- GA1206A101JBLBR31G
- GCD216R71H222KA01D
- GA1206A102FXEBR31G
- GCE216R71H102KA01D
- GA1206A102KBBBR31G
- GCE216R71H472KA01D
- GCG1555C1H3R6DA01J
- GA1206A121FBBBT31G
- GCG1555G1H2R0BA01D
- GA1206A121GBLBR31G
- GCM06DRST-S288
- GA1206A121JBEBR31G

