G3VM-402J

MOS FET继电器设计用于切换微小信号和模拟信号。双通道，8引脚SOP封装，在400V负载电压系列中。

连续负载电流为120 mA。

符合RoHS标准

应用示例：

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪

型号列表：

• 封装类型：SOP8
• 触点形式：2a（DPST-NO）
• 端子：表面贴装端子
• 负载电压（峰值）：400V
• 型号：G3VM-402J
• 最小包装数量：50（每管），2,500（每卷带）

绝对最大额定值 (Ta=25℃)：

• LED正向电流：50 mA
• 重复峰值LED正向电流：1 A（100 μs脉冲，100 pps）
• LED正向电流减少率：-0.5 mA/℃ (Ta≥25℃)
• LED反向电压：5 V
• 连接温度：125℃
• 负载电压（交流峰值/直流）：400 V
• 连续负载电流（交流峰值/直流）：120 mA
• 导通电流减少率：-1.2 mA/℃ (Ta≥25℃)
• I/O之间的介电强度：1500 Vrms（交流1分钟）
• 环境工作温度：-40至+85℃（无结冰或冷凝）
• 环境存储温度：-55至+125℃（无结冰或冷凝）
• 焊接温度：260℃（10秒）

电气特性 (Ta=25℃)：

• LED正向电压：1.0至1.3 V（IF = 10 mA）
• 反向电流：10 μA（VR=5V）
• 端子间电容：30 pF（V=0, f=1 MHz）
• 触发LED正向电流：1至3 mA（lo = 120 mA）
• 输出导通时的最大电阻：17至35 Ω（IF = 5 mA, lo = 120 mA）
• 继电器断开时的漏电流：1.0 μA（VOFF=400V）
• 端子间电容：70 pF（V=0, f=1 MHz）
• I/O端子间电容：0.8 pF（f=1 MHz, Vs=0 V）
• I/O端子间的绝缘电阻：1000 MΩ（Vi-0=500VDC, RoH≤60%）
• 导通时间：0.3至1 ms（IF = 5 mA, RL= 200 Ω）
• 断开时间：0.1至1 ms（VDD=20 V）

推荐工作条件：

• 负载电压（交流峰值/直流）：320 V
• 工作LED正向电流：5至25 mA
• 连续负载电流（交流峰值/直流）：120 mA
• 环境工作温度：-20至65℃

安全注意事项：

• 请参考所有G3VM型号的“通用注意事项”。

外观： SSOOPP（小外形封装）SOP8

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• 通信设备
• 数据记录仪