AT25EU0011A-SSHN-B
AT25EU0011A-SSHN-B
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25EU0011A-SSHN-B
- 商品编号
- C6863057
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品特性
- 电压范围:1.65 V - 3.6 V
- 1 Mbit闪存
- 兼容串行外设接口(SPI)
- 支持SPI模式0和3
- 支持单输入/输出操作(1,1,1)
- 支持双输入和双输出操作(1,1,2)、(1,2,2)、(0,2,2)
- 支持四输入和四输出操作(1,1,4)、(1,4,4)、(0,4,4)
- 最高工作频率85 MHz
- 串行输入页编程,最大可达256字节
- 支持编程暂停和恢复
- 页擦除(256字节)
- 块擦除(4/32/64 kbyte)
- 全芯片擦除
- 支持擦除暂停和恢复
- 页编程时间:典型值2 ms
- 页擦除时间:典型值8 ms
- 块擦除时间:典型值8 ms
- 芯片擦除时间:典型值8 ms
- 灵活架构:4/32/64 kbyte块
- 硬件复位(HOLD / RESET引脚)
- 软件控制复位
- 软件/硬件写保护
- 3个512字节安全寄存器,带OTP锁
- 可通过WP引脚启用/禁用保护
- 可通过软件保护对全部或部分内存进行写保护
- 顶部或底部块选择
- 低功耗
- 典型有源读取电流1.2 mA
- 典型深度掉电(DPD)电流100 nA
- 温度范围:-40°C至+85°C
- 10k次编程和擦除循环
- 20年数据保留
- 行业标准绿色(无铅/无卤化物/符合RoHS)封装选项
- 8引脚SOIC(150密耳)
- 8焊盘2x3x0.6 UDFN

