商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 177V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 632pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 3.12pF | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 11V |
商品概述
这款1600 W的LDMOS射频功率晶体管基于先进耐用技术(ART)设计,适用于工业、科学和医疗(ISM)、广播及通信等广泛领域。该未匹配晶体管的频率范围为1 MHz至450 MHz。
商品特性
- 高击穿电压,可在VDS = 48 V时实现E类工作模式
- 适用于VDS = 50 V和55 V
- 最高可耐受VDS = 55 V
- 在30 V至55 V电压下进行特性表征,扩展功率范围
- 易于进行功率控制
- 集成双面ESD保护,可实现C类工作模式并完全关断晶体管
- 具备出色的耐用性,无器件性能退化问题
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带工作而设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像(MRI)系统
- 二氧化碳(CO2)激光器
- 粒子加速器
- 广播
- 调频(FM)广播
- 甚高频(VHF)电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频(UHF)雷达
- FW-20-03-G-D-215-175
- ARV11-4041I
- APCI00121280680M80
- ARV11-4519
- FW-20-03-G-D-225-095
- APCI001212806R8M80
- AS-101
- FW-20-03-G-D-226-070
- AS-103
- APCI00121280820T80
- AS-202
- FW-20-03-G-D-230-065-A
- AS-210
- APCI00121280821KY0
- AS-24.000-30-SMD-TR
- AS-3.6864-18-SMD-TR
- FW-20-03-G-D-238-075-A-P
- AS-332
- AS-4.000-16-EXT-SMD-TR
- FW-20-03-G-D-255-100-A
- AS04504PR-F-WP-R


