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DI048N04PT-AQ实物图
  • DI048N04PT-AQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DI048N04PT-AQ

DI048N04PT-AQ

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商品型号
DI048N04PT-AQ
商品编号
C6831971
商品封装
QFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.130627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))7.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)37.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)48.5nC@10V
输入电容(Ciss)2.268nF
反向传输电容(Crss)121pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 超小节省空间封装
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 低外形高度
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 符合 RoHS(无豁免)、REACH、冲突矿物法规要求
  • 超小节省空间封装
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 低外形高度
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 符合 RoHS(无豁免)、REACH、冲突矿物法规要求

应用领域

  • 电源管理单元
  • 电池供电设备
  • 负载开关、极性保护
  • 商用/工业级
  • 电源监控单元
  • 电池供电设备
  • 负载开关、极性保护
  • 标准规格

数据手册PDF