SMJ4464-12JDS

SMJ4464是一种高速、262,144位的动态随机存取存储器，组织为65,536个四比特字。它采用先进的SMOS（缩放MOS）N沟道双层多晶硅/多晶化物栅极技术，以实现高性能、低成本和改进的可靠性。

该器件的最大RAS访问时间为120纳秒、150纳秒或200纳秒。典型功耗在工作状态下低至275毫瓦，在待机状态下低至1.25毫瓦。

新的SMOS技术允许从单个5伏电源操作，减少了系统电源和去耦要求，并简化了电路板布局。IDD峰值通常为125毫安，并且可以容忍-0.7伏的输入电压下冲，从而最小化系统噪声考虑。

所有输入和输出，包括时钟，都与54系列TTL兼容。所有地址和数据输入线都在芯片上锁存，以简化系统设计。数据输出未锁存，以允许更大的系统灵活性。

SMJ4464提供18引脚300密耳陶瓷侧焊双列直插式封装和18焊盘无引线陶瓷芯片载体封装。S版本的工作温度范围为-55°C至110°C，L版本的工作温度范围为0°C至70°C。双列直插式封装设计用于插入中心间距为7.62毫米（300密耳）的安装孔行中。