PPM8PN30V25
1个P沟道
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术,提供出色的低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PPM8PN30V25
- 商品编号
- C6807698
- 商品封装
- PDFN-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V;11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.207nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
PPM8PN30V25采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- DC-DC转换器
- 无线充电器
