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PPM8PN30V25实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PPM8PN30V25

1个P沟道

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
品牌名称
Prisemi(芯导)
商品型号
PPM8PN30V25
商品编号
C6807698
商品封装
PDFN-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.076克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)37A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V;11mΩ@10V
耗散功率(Pd)35.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)25.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.207nF
反向传输电容(Crss)146pF
类型P沟道
输出电容(Coss)170pF

商品概述

PPM8PN30V25采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理
  • DC-DC转换器
  • 无线充电器

数据手册PDF