商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 特征频率(fT) | 500MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
2N6728和2N6730是采用TO - 237封装的硅NPN功率晶体管，专为通用功率放大器和开关应用而设计。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 特征频率(fT) | 500MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
2N6728和2N6730是采用TO - 237封装的硅NPN功率晶体管，专为通用功率放大器和开关应用而设计。