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SCT3160KLHRC11实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SCT3160KLHRC11

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:17A

品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
SCT3160KLHRC11
商品编号
C6802212
商品封装
TO-247N​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))208mΩ@18V
属性参数值
耗散功率(Pd)103W
阈值电压(Vgs(th))5.6V
栅极电荷量(Qg)42nC@18V
输入电容(Ciss)398pF@800V

商品概述

Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术将 JFET 效应降至最低,提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。

商品特性

  • 更快的开关速度
  • 更低的漏电流
  • 100%雪崩测试
  • 通用 TO - 247 封装

数据手册PDF