DMT6009LK3-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:13.3A 电流:57A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6009LK3-13
- 商品编号
- C6798305
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.3A;57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(R_DS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
- 出色的 Qgd x RDS(ON) 乘积(品质因数)
- 适用于DC/DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明
其他推荐
- AP4310AUMTR-G1
- MICRO 5.9ZB5.0 WZ
- MICRO 5.9ZB5.7 WZ
- MICRO 6.4 JBWZ
- MICRO 6.4ZB5.0 WZ
- MICRO 6.4ZB5.0
- MICRO 7.2 JBWZ
- MICRO 7.2ZB5.0 WZ
- MICRO 7.2ZB5.0
- MICRO 180°LTZBH5.0
- MICRO 180°LTJBH5.0
- MICRO 2PCB1.0 ZB
- MICRO 2PCB1.6 ZB
- MICRO 4PCB0.8 ZB
- MICRO 4PCB0.8 JB
- MICRO 4PCB1.0 ZB
- MICRO 4PCB1.0 JB
- MICRO 4PCB1.6 JB
- MICRO XNJ ZB2
- MICRO XNJ JB2
- MICRO DNJ ZB
