- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.94nF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装
- 低电压驱动(1.5V)
应用领域
-开关应用
- S-1000C20-M5T1U
- RV26B1S000B-KZC
- RV26B2A800B-KKC
- RV26B2EJ8DD-K4C
- S-1000C22-M5T1G
- RV28BBCD0JB-K9C
- S-1000C26-N4T1U
- RV28D2CC0CB-K4C
- S-1000C40-N4T1G
- S-1000C44-N4T1G
- S-1000C45-M5T1G
- S-1000N18-M5T1G
- RV28D2FCECC-K4C
- RV28D2S000B-KZC
- RV28D2S000C-KZC
- RV4NAYSD153A
- S-1000N23-N4T1G
- RV4NAYSD503A
- S-1000N38-I4T1U
- RV4NAYSD752A
- S-1000N40-N4T1G