商品参数
参数完善中
商品概述
1EDN71x6U 是一款单通道栅极驱动 IC，专为驱动英飞凌 CoolGaN 肖特基栅极 HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 而优化。该栅极驱动器具备多项关键特性，可实现基于 GaN SG HEMT 的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。
商品特性
- 专为驱动 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 而优化
- 全差分逻辑输入电路，可避免在低端或高端操作中出现误触发
- 高端操作时，高共模输入电压范围（CMR）可达 ± 200 V
- 对共模电压转换具有高抗扰度（100 V/ns），可在快速开关期间实现稳定运行
- 与 3.3 V 或 5 V 输入逻辑兼容
- 四种驱动强度变体，无需外部栅极电阻即可优化开关速度，源/灌电流能力高达 2 A
- 有源自举钳位，可避免死区时间内自举电容过充
- 有源米勒钳位，灌电流能力为 5 A，可避免感应导通
- 根据 JEDEC47/20/22 相关测试，适用于工业应用
应用领域
- 单通道：同步整流 E 类谐振无线电源
- 半桥（2 x 1EDN71x6U）：DC-DC 转换器、无刷直流/永磁同步电机驱动、D 类音频放大器、D 类谐振无线电源