G3VM-62J1

MOS FET继电器设计用于切换微小信号和模拟信号。双通道，采用60V负载电压系列的8引脚SOP封装。连续负载电流为400mA。I/O之间的介电强度为1500Vrms。

• 连续负载电流：400 mA
• 输入输出之间的介电强度：1,500 Vrms
• 符合RoHS标准
• 应用示例：
  • 半导体测试设备
  • 测试与测量设备
  • 通信设备
  • 数据记录仪
• 负载电压（峰值）：60V
• 绝对最大额定值（Ta=25℃）：
  • LED正向电流：50 mA
  • 重复峰值LED正向电流：1 A（100 μs脉冲，100 pps）
  • LED正向电流降低率：-0.5 mA/℃（Ta≥25℃）
  • LED反向电压：5 V
  • 连接温度：125 ℃
  • 负载电压（AC峰值/DC）：60 V
  • 连续负载电流（AC峰值/DC）：400 mA
  • 导通电流降低率：-4.0 mA/℃（Ta≥25℃）
  • 输入输出之间的介电强度：1,500 Vrms（AC持续1分钟）
  • 环境工作温度：-40至+85 ℃（无结冰或凝露）
  • 环境存储温度：-55至+125 ℃（无结冰或凝露）
  • 焊接温度：260 ℃（10秒）
• 电气特性（Ta=25℃）：
  • LED正向电压：1.0至1.3 V（IF = 10 mA）
  • 反向电流：10 μA（VR=5V）
  • 端子间电容：30 pF（V=0, f=1 MHz）
  • 触发LED正向电流：1.6至3 mA（lo = 400 mA）
  • 输出导通时的最大电阻：1.0至2.0 Ω（IF=5mA, lo=400mA）
  • 继电器断开时的漏电流：1.0 μA（VOFF=60V）
  • 端子间电容：130 pF（V=0, f=1 MHz）
  • 输入输出端子间电容：0.8 pF（f=1MHz, Vs=0V）
  • 输入输出端子间的绝缘电阻：1,000 MΩ（Vi-0=500VDC, RoH≤60
  • 导通时间：0.8至2.0 ms（IF = 5 mA, RL= 200 Ω）
  • 关断时间：0.1至0.5 ms（VDD=20 V）
• 推荐工作条件：
  • 负载电压（AC峰值/DC）：48 V
  • 工作LED正向电流：5至25 mA
  • 连续负载电流（AC峰值/DC）：400 mA
  • 环境工作温度：-20至65 ℃
• 封装类型：SOP8
• 触点形式：2a（DPST-NO）
• 端子：表面贴装端子

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪