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2SK3878(STA1,E,S)
1个N沟道 耐压:900V 电流:27A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0 S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强型模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3878(STA1,E,S)
- 商品编号
- C726000
- 商品封装
- SC-65
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=1.0 Ω (典型值)
- 高正向传输导纳：|Yfs|=7.0 S (典型值)
- 低漏电流：IDSS=100 μA (最大值) (VDS=720 V)
- 增强型模式：Vth=2.0 至 4.0 V (VDS=10 V, ID=1 mA)
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