CMS45N10H8-HF
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
- 品牌名称
- Comchip(典琦)
- 商品型号
- CMS45N10H8-HF
- 商品编号
- C6767391
- 商品封装
- PPAK(5x6)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 94.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.0039nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的270 W LDMOS封装对称式多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为700 MHz至900 MHz。
商品特性
- 改善了dv/dt能力。
- 快速开关。
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) ≤ 20 mΩ
应用领域
- 适用于700 MHz至900 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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