我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
预售商品
CMPDM7002AG TR PBFREE实物图
  • CMPDM7002AG TR PBFREE商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMPDM7002AG TR PBFREE

1个N沟道 耐压:60V 电流:280mA

品牌名称
Central(中环)
商品型号
CMPDM7002AG TR PBFREE
商品编号
C6766891
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)280mA
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)50pF
工作温度-65℃~+150℃

商品概述

CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMPDM7002A和CMPDM7002AG是采用N沟道DMOS工艺制造的2N7002增强型N沟道MOSFET的特殊版本,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些特殊器件具有低导通电阻rDS(ON)和低导通压降VDS(ON)的特点。

商品特性

  • 快速开关,低电磁干扰(EMI)/射频干扰(RFI)
  • 低导通电阻RDS(on)
  • 超低Crss,提高抗噪能力
  • 低栅极电荷
  • 有雪崩能量额定值
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
  • 降压转换器
  • 双开关正激(不对称桥)
  • 单开关正激
  • 反激
  • 逆变器

数据手册PDF