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MCU20N06B-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(on)
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 散热性能良好的优质封装
- 具备高静电放电（ESD）能力的特殊工艺技术
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 可通过添加后缀“-HF”获得无卤产品
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准，详见订购信息）