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RD3L150SNTL1
1个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关速度。 驱动电路简单。 易于并联使用。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RD3L150SNTL1
- 商品编号
- C6757881
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 驱动电路可简化
- 易于并联使用
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用