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BSS138WQ-13-F
1个N沟道 耐压:50V 电流:280mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS138WQ-13-F
- 商品编号
- C6755340
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,220mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
Power MOS V®是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可将JFET效应降至最低，提高封装密度并降低导通电阻。Power MOS V®还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。
商品特性
- 更快的开关速度
- 更低的泄漏电流
- 100%雪崩测试
- 表面贴装D³PAK封装
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