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RTR020P02-VB

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5.1A
功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@2.5V
输入电容(Ciss@Vds)835pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)155pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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