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BSC019N04NS-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSC019N04NS-VB
- 商品编号
- C724990
- 商品封装
- QFN-8(5.6x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.75nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义无卤
- 沟道型场效应管功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 次级侧DC/DC