- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
W25Q01NWSFIM TR
串行闪存存储器，采用双芯片架构，支持双/四通道SPI
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W25Q01NWSFIM TR
- 商品编号
- C6750387
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位；电源锁定保护 |
商品概述
W25Q01NW（两个512M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在1.7V至1.95V单电源下工作，掉电时电流消耗低至0.4μA。
商品特性
- 支持4KB扇区的灵活架构
- 均匀扇区/块擦除（4KB/32KB/64KB字节）
- 每个可编程页面支持1到256字节的程序写入
- 擦除/编程暂停与恢复
- 软硬件写保护
- 电源锁定功能
- 特殊OTP保护
- 顶部/底部、互补阵列保护
- 单个块/扇区阵列保护
- 每个设备具有两个64位唯一ID
- 3个256字节的安全寄存器，带OTP锁定
- 可变与非可变状态寄存器位
- W25Q128JWYIQ
- W25Q256JVMIQ TR
- BAS40LTH-G3-08
- RAVF104DFT27K0
- VS75E-5
- RAVF104DFT2K40
- BACC63CU13-98PBH
- BAS40W_R1_00001
- R7FA2E2A33CBY#HC1
- BAS581-02V-HG3-08
- R7FA2E2A53CNK#BA1
- VSA24-3.3S1R2
- BAS70-AU_R1_000A1
- R7FA2L1A92DNE#BA0
- RAVF104DFT49R9
- VSAB1770-100M
- RAVF104DFT760K
- VSAB1770-330M
- BACC63CU13D35PNH
- RAVF104DFT910K
- R7FA2L1A93CFP#HA0