VI30120C-M3/4W

双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，在正向电流IF = 5 A时，超低正向电压VF = 0.50 V。

• 沟槽MOS肖特基技术
• 低正向压降，低功率损耗
• 高效运行
• 按照JESD 22 - B106标准，最大浸焊温度275°C，持续10 s

用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、或门二极管和反接电池保护。