商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF |
商品特性
- QS5U23在单个TSMT5封装中集成了P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。
- 低导通电阻,快速开关
- 低电压驱动(2.5V驱动)。
- 内置低 VF 肖特基势垒二极管。
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。
应用领域
- 负载开关
- 直流/直流转换
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