商品参数
参数完善中
商品概述
双逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS技术，封装为塑料封装。该产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计和认证。
商品特性
- 由于开关特性快速，适用于高频应用
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 直流-直流转换器
- 锂离子电池应用
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