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YPN438S
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V
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- 描述
- 特性：专有新型沟槽技术。 超低米勒电容。 N沟道MOS管导通电阻（典型值）：VGS = 10V时为18mΩ。 P沟道MOS管导通电阻（典型值）：VGS = 10V时为30mΩ。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：高效DC/DC转换器。 同步整流
- 商品型号
- YPN438S
- 商品编号
- C723940
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,10A；27mΩ@10V,7.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V；24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF；1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF；180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF；215pF |
优惠活动
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