商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 红外发射管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.5V | |
| 波长 | 850nm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 辐射强度 | 140mW/sr@IF=100mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
TSHG5210是一款采用GaAlAs双异质结（DH）技术的850 nm红外发光二极管，具有高辐射功率和高速度，采用透明无色塑料封装。
商品特性
- 封装类型：有引脚
- 封装形式：T-1 3/4
- 尺寸（单位：mm）：直径5
- 引脚有支撑
- 峰值波长：λp = 850 nm，符合RoHS标准
- 高可靠性，环保
- 高辐射功率
- 高辐射强度
- 半强度角：φ = ±10°
- 低正向电压
- 适用于高脉冲电流操作
- 高调制带宽：fc = 18 MHz
- 与CMOS相机光谱匹配良好
- 符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE指令2002/96/EC
应用领域
- 与CMOS相机配合使用的红外辐射源
- 高速红外数据传输
- 烟雾自动火灾探测器
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