STW18NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW18NM60ND
- 商品编号
- C6689639
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF |
商品概述
这些具备本征快速恢复体二极管的FDmeshTM II功率MOSFET采用第二代MDmeshTM技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构,具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器。
商品特性
- 在快速恢复二极管器件中,具备最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用
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