STFI5N95K3
1个N沟道 耐压:950V 电流:4A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI5N95K3
- 商品编号
- C6687450
- 商品封装
- I2PAKFP(TO-281)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 全绝缘、薄型封装,引脚到散热板的爬电距离增加
- 100%经过雪崩测试
- 具备极高的雪崩性能
- 栅极电荷最小化
- 本征电容极低
- 采用齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用
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