MT58L512Y32DT-10
MT58L512Y32DT-10
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT58L512Y32DT-10
- 商品编号
- C6685749
- 商品封装
- TQFP-100(14x20.1)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3.135V~3.465V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
美光SyncBurst SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，通过先进的CMOS工艺制造。美光的18Mb SyncBurst SRAM将1M x 18、512K x 32或512K x 36的SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。所有同步输入都通过由正边沿触发单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效片选（CE#）、两个用于轻松扩展深度的附加片选（CE2、CE2#）、突发控制输入（ADSC#、ADSP#、ADV#）、字节写使能（BWx#）和全局写（GW#）。异步输入包括输出使能（OE#）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ）。还有一个突发模式输入（MODE），用于在交错和线性突发模式之间进行选择。数据输出（Q）由OE#使能。写周期可以是1到2字节宽（x18）或1到4字节宽（x32/x36），由写控制输入控制。突发操作可以通过地址状态处理器（ADSP#）或地址状态控制器（ADSC#）输入启动。后续突发地址可以由突发推进输入（ADV#）控制在内部生成。地址和写控制在片上进行寄存，以简化写周期，实现自定时写周期。单个字节使能允许写入单个字节。该器件集成了一个额外的流水线使能寄存器，在执行取消选择时，可将输出缓冲器关闭延迟一个额外的周期，此功能允许在不影响系统性能的情况下进行深度扩展。该器件非常适合奔腾和PowerPC流水线系统以及受益于非常宽的高速数据总线的系统，也适用于通用的16位、18位、32位、36位、64位和72位应用。
商品特性
- 快速时钟和OE#访问时间
- 单3.3V ± 5%或2.5V ± 5%电源
- 独立的3.3V ± 5%或2.5V ± 5%隔离输出缓冲器电源（VDDQ）
- 具有用于降低功耗待机的休眠模式
- 通用数据输入和数据输出
- 单个字节写控制和全局写
- 三个片选用于简单的深度扩展和地址流水线
- 时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
- 内部自定时写周期
- 突发控制（交错或线性突发）
- 低电容总线负载
应用领域
- 奔腾和PowerPC流水线系统
- 通用16位应用
- 通用18位应用
- 通用32位应用
- 通用36位应用
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