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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@4.5V,3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@10V |
商品特性
- 低导通电阻。
- 内置栅源（G-S）保护二极管。
- 小型表面贴装封装（SOP8）。
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器