商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~13.5V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
RT9611C/D是一款高频、同步整流、单相双MOSFET驱动器，设计用于从普通MOSFET驱动应用适配到高性能CPU电压调节器（VR）驱动。 RT9611C/D可在VCC = 5V或VCC = 12V的应用中使用。RT9611C/D还内置了一个内部电源开关，以取代外部自举二极管。RT9611C/D可高效支持高达500kHz的开关频率。RT9611C/D具有用于同步整流DC/DC转换器应用的上桥栅极（UGATE）驱动电路和下桥栅极（LGATE）驱动电路。驱动上升/下降时间能力设计在30ns以内，并且设计了直通保护机制，以防止高端和低端功率MOSFET出现直通现象。RT9611C/D具有PWM三态关断和过驱动（OD）输入关断功能，可强制驱动器输出进入高阻抗状态。 RT9611C和RT9611D的区别在于传播延迟tUGATEpdh。RT9611D的tUGATEpdh比RT9611C相对更大。因此，通常建议RT9611C用于注重性能的应用，如高功率密度CPU VR或GPU VR。 RT9611C/D采用小尺寸的WDFN-8L 3x3封装。
商品特性
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 内置自举二极管
- 支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 用于桥接关断的三态输入
- 禁用控制输入
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- 台式机、主板CPU的核心电压电源
- 高频薄型DC/DC转换器
- 大电流低压DC/DC转换器
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