- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SA1855S-AY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 280 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | 独立式 |
商品特性
- 采用FBET和MBIT工艺。
- 集电极允许耗散功率大。
- 饱和电压低。
- 安全工作区宽，电流容量大。
- 使用径向编带以满足自动安装。
应用领域
- 电源、继电器驱动器、灯驱动器。