商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 600mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规格书涵盖了功率PNP硅2N3740和2N3741晶体管的性能要求。对于每种封装器件类型，提供了四个级别的产品保证（JAN、JANTX、JANTXV和JANS）；对于每种非封装器件类型，提供了两个级别的产品保证（JANHC和JANKC），具体规定见MIL - PRF - 19500。对于质量等级为JANTXV、JANS、JANHC和JANKC的器件，提供了针对八个辐射级别的辐射硬度保证（RHA）。RHA级别标识“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”会附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。