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MCP6V52-E/SN实物图
  • MCP6V52-E/SN商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MCP6V52-E/SN

MCP6V52-E/SN

商品型号
MCP6V52-E/SN
商品编号
C6666740
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.178克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录精密运放
放大器数双路
增益带宽积(GBW)2MHz
属性参数值
压摆率(SR)1.2V/us
输入偏置电流(Ib)60pA
功能特性EMI滤波/RF抑制;零漂移/自动稳零;反相位输入保护

商品概述

Microchip Technology的MCP6V51/2/4运算放大器采用动态失调校正技术,可实现极低的失调和失调漂移。这些器件的增益带宽积典型值为2 MHz。它们具有单位增益稳定性,几乎没有1/f噪声,并且具有出色的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。这些产品可在4.5V至45V(±2.25V至±22.5V)的单电源或双电源电压下工作,静态电流典型值为470 μA/放大器。MCP6V51/2/4运算放大器有单通道、双通道和四通道版本,采用先进的CMOS工艺设计。如图1和图2所示,不同电源电压下,输入失调电压随环境温度的变化情况。从图1和图2可以看出,MCP6V51/2/4运算放大器在不同温度下具有出色的性能。所示的输入失调电压温度漂移(TC₁)完全在规定的最大值范围内:电源电压VDD = 4.5V时为31 nV/°C,VDD = 45V时为36 nV/°C。这种性能适用于对直流精度要求严格的应用。在许多情况下,设计中无需校正温度影响(即校准)。在其他情况下,校正量也很小。

商品特性

  • 高直流精度:
    • 失调电压(VOS)漂移:最大36 nV/°C
    • 失调电压(VOS):最大15 μV
    • 开环增益:最小140 dB
    • 电源抑制比(PSRR):最小134 dB
    • 共模抑制比(CMRR):最小135 dB
  • 低噪声:
    • 1 kHz时为10.2 nV/√Hz
    • 输入电压噪声峰峰值(Eni):0.21 μVₚ₋ₚ,频率范围0.1 Hz至10 Hz
  • 低功耗:
    • 静态电流(IQ):每个放大器典型值470 μA
    • 宽单电源或双电源电压范围:4.5V至45V,±2.25V至±22.5V
  • 易于使用:
    • 输入范围包含负电源轨
    • 轨到轨输出
    • 带EMI滤波的输入
    • 增益带宽积:2 MHz
    • 压摆率:1.2V/μs
    • 单位增益稳定
    • 小封装:
      • 单通道:SOT - 23 - 5、MSOP - 8
      • 双通道:MSOP - 8、SOIC - 8
      • 四通道:SOIC - 14
    • 扩展温度范围:-40°C至+125°C
    • 符合AEC Q100标准,1级(仅适用于MCP6V52和MCP6V54)

应用领域

  • 工业仪表
  • 过程控制
  • 传感器调理
  • 医疗仪器
  • 汽车

数据手册PDF