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MCG30P03-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MCG30P03-TP

1个P沟道 耐压:30V 电流:19A

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描述
特性:沟槽功率低压MOSFET技术。 高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(on)。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准
品牌名称
MCC(美微科)
商品型号
MCG30P03-TP
商品编号
C6666543
商品封装
DFN3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12916克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)19A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@20V,20A
耗散功率(Pd)32W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.8V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.45nF
反向传输电容(Crss)274pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 沟槽功率低压MOSFET技术
  • 用于低漏源导通电阻(RDS(on))的高密度单元设计
  • 湿度敏感度等级1级
  • 无卤“绿色”器件
  • 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)

数据手册PDF