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TSK82N25M
1个N沟道 耐压:250V 电流:82A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK82N25M
- 商品编号
- C718686
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 550W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.904nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 783pF |
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