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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边；低边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 13ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
LF2110B 和 LF2113B 是高压、高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端输出。集成的浮动电源使高端驱动器的工作电压在 LF2110B 中最高可达 500V，在 LF2113B 中最高可达 600V。LF2110B 的最大传播延迟匹配为 10ns，LF2113B 为 20ns，可实现高频操作。 典型应用 LF2110B 和 LF2113B 的逻辑输入均与标准 CMOS 电平兼容（低至 3.3V），而驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。 LF2110B 和 LF2113B 采用 16 引脚 SOIC 封装，工作温度范围扩展至 -40℃ 至 +125℃。
商品特性
- 以高端/低端配置驱动两个 N 沟道 MOSFET 或 IGBT
- 高端工作电压最高可达 600V
- 典型源极和漏极输出电流为 2.5A
- 输出可耐受负瞬变
- 宽栅极驱动器电源电压范围：10V 至 20V
- 宽逻辑输入电源电压范围：3.3V 至 20V
- 宽逻辑电源偏置电压范围：-5V 至 5V
- 带 1000 pF 负载时，上升时间为 15 ns（典型值）/下降时间为 13 ns（典型值）
- 导通延迟时间为 105 ns（典型值）/关断延迟时间为 94 ns（典型值）
- 逐周期边沿触发关断电路
- 高端和低端驱动器均具备欠压锁定（UVLO）功能
- 扩展温度范围：-40℃ 至 +125℃
应用领域
- DC-DC 转换器
- AC-DC 逆变器
- 电机控制
- D 类功率放大器