商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
连续漏极电流(Id) | 550A | |
导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V,100A | |
耗散功率(Pd) | 600W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
栅极电荷量(Qg) | 595nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss) | 1.02nF@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+¥528.24¥10564.8
200+¥210.77¥4215.4
500+¥203.73¥4074.6
1000+¥200.25¥4005
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