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IXTZ550N055T2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTZ550N055T2

IXTZ550N055T2

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商品型号
IXTZ550N055T2
商品编号
C6644648
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)550A
导通电阻(RDS(on))1mΩ@10V
耗散功率(Pd)600W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)595nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)1.02nF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 直接敷铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
  • 隔离基板
  • 出色的热传递性能
  • 增强的温度和功率循环能力
  • 高隔离电压(约2500V)
  • 175°C工作温度
  • 极高的电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定值
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-直流-直流转换器和离线式UPS-初级侧开关-高速功率开关应用

数据手册PDF