IXTZ550N055T2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 600W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 595nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.02nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 初级侧开关
- 电机驱动器
- DC/DC 转换器
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