ISL6341BIRZ-T

ISL6341、ISL6341A、ISL6341B、ISL6341C 能轻松为采用同步降压拓扑、驱动 N 沟道 MOSFET 的 DC/DC 降压转换器实现完整的控制与保护方案。由于它可在 5V 或 12V 电源下工作，因此这一系列的 IC 可用于系统内的各种应用。它将控制、栅极驱动器、输出调节、监控和保护功能集成到一个 10 引脚薄型 DFN 封装中。 ISL6341、ISL6341A、ISL6341B、ISL6341C 提供单反馈环路、具有快速瞬态响应的电压模式控制。输出电压可精确调节至低至 0.8V，在温度和线电压变化时的最大容差为 ±0.8%。固定频率振荡器和宽占空比范围降低了设计复杂度，同时平衡了典型应用的成本和效率。频率、占空比和过流保护（OCP）响应是 ISL6341x 各版本之间仅有的差异。 通过监测下 MOSFET 的 rDS(ON) 来适当抑制 PWM 操作，从而实现过流保护。这种方法通过省去电流检测电阻，简化了实现过程并提高了效率。除了监测 PGOOD 输出外，还对输出电压进行欠压和过压保护监测。

• 工作电源电压（偏置）范围为 +4.5V 至 14.4V
• 输入范围为 1.5V 至 12V（有条件时最高可达 20V）
• 输出范围为 0.8V 至约 VIN（占空比受限）
• 集成栅极驱动器；LGATE 使用 VCC（5V 至 12V）；UGATE 使用外部自举二极管至（5V 至 12V）
• 0.8V 内部参考电压；容差 ±0.8%
• 简单的单环控制设计
• 传统双沿调制器
• 电压模式 PWM 控制
• 驱动 N 沟道 MOSFET
• 快速瞬态响应
• 高带宽误差放大器
• ISL6341、ISL6341C 的最大占空比为 0% 至 85%
• ISL6341A、ISL6341B 的最大占空比为 0% 至 75%
• 无损、可编程过流保护
• 使用下 MOSFET 的 rDS(ON)
• 锁存关断模式（ISL6341、ISL6341B）
• 无限重试（打嗝）模式（ISL6341A）
• 无限重试（打嗝）模式；无欠压保护（UVP）（ISL6341C）
• 输出电压监测
• 欠压和过压关断
• PGOOD 输出
• 采用 10 引脚 3x3 薄型 DFN 封装，转换器尺寸小
• 300kHz 固定振荡器（ISL6341、ISL6341C）
• 600kHz 固定振荡器（ISL6341A、ISL6341B）
• 固定内部软启动，可用于预偏置负载
• COMP/EN 引脚具有使能/关断功能
• 无铅（符合 RoHS 标准）

• 微处理器或外设电源
  • 个人电脑、服务器、内存电源
  • DSP 和核心通信处理器电源
• 子系统电源
  • PCI、AGP；显卡；数字电视
  • SSTL - 2 和 DDR/DDR2/DDR3 SDRAM 总线端接电源
• 电缆调制解调器、机顶盒和 DSL 调制解调器