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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RCD050N20TL

1个N沟道 耐压:200V 电流:5A

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RCD050N20TL
商品编号
C6639574
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.462克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))618mΩ@10V,2.5A
属性参数值
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))5.25V
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)380pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • QS5U26在单个TSMT5封装中集成了P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。
  • 导通电阻低,开关速度快
  • 低电压驱动(2.5V驱动)。
  • 内置低正向压降(VF)肖特基势垒二极管。
  • 引脚无铅电镀;符合RoHS标准。

应用领域

  • 负载开关
  • 直流/直流转换

数据手册PDF