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4953
双P沟道增强模式场效应晶体管 2个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：VDS = -30V，ID = -5.1A，RDS(ON) ≤ 55mΩ，VGS = -10V。 低栅极电荷。 适用于负载开关或PWM应用。 表面贴装器件
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- 4953
- 商品编号
- C717603
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-SJ-FET是新一代高压MOSFET系列,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗、提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 低导通电阻:VDS = -30 V,ID = -5.1 A,VGS = -10 V 时,RDS(ON) \leq 55 m Ω
- 低栅极电荷
- 表面贴装器件
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