GP2T080A120U
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:35A
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- 品牌名称
- SemiQ
- 商品型号
- GP2T080A120U
- 商品编号
- C6626988
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@20V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.377nF@1000V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@1000V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 反向恢复电荷（Qrr）比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰（EMI）
- 薄型设计——MicroFET 2x2 mm封装最大高度为0.5 mm
- 经过100%单脉冲非钳位感性负载（UIL）测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 主直流-直流（DC-DC）MOSFET
- 直流-直流（DC-DC）和交流-直流（AC-DC）同步整流器
- 电机驱动